西安交通年夜学金属质料强度天下重点试验室质料立异设计中央（CAID）团队研制出一种局部布局险些全数为完善八面体的铬碲非晶合金CrTe3，该质料从底子上解决了相变存储器件的电阻漂移问题，为成长高精度相变类脑器件提供了要害的质料载体。研究结果论文近日发表于《天然—质料》上。
相变存储器使用硫族化合物非晶相与晶体相之间的电阻差异实现数据存储。而非晶质料凡是具备自觉布局弛豫的特色，对于在相变存储质料而言（如商用锗锑碲合金GST），其非晶相电阻值会随时间的推移而自觉漂移，这对于在精准多值编程带来了巨年夜挑战，极年夜地影响了相变类脑计较的计较精度。
此外，非晶布局弛豫于差别的情况温度下出现出繁杂多变的不确定性，从而致使相变类脑计较技能难以适配情况多变的边沿端运用场景。
论文截图。 ?
为相识决该问题，西安交通年夜学金属质料强度天下重点试验室质料立异设计中央（CAID）团队解析了非晶相变质料布局弛豫举动的原子标准机理，明确了电阻漂移泉源重要来自在非晶局部布局缺陷密度以和派尔斯畸变水平随时间及温度的演化。
于此基础上，团队设计了一种局部布局险些全数为完善八面体的铬碲非晶合金CrTe3。”其八面体布局中无较着是非键差异，是以其布局弛豫很弱且其实不激发能带布局的变化，可从底子上消弭电阻漂移。“论文第一作者王晓哲注释。
随后，团队经由过程磁控溅射制备了CrTe3薄膜，从试验上证明了该非晶薄膜于-200至165摄氏度的宽温区规模内无较着的电阻漂移。
进一步，团队与中国科学院上海微体系与信息技能研究所团队互助，验证了CrTe3器件于重复操作十万次以后依然无较着电阻漂移举动。此外，团队经由过程光控电测要领实现了不变的多值存储，并设计加工出了基在CrTe三木SEO-3阵列的智能小车，实现了不变的主动寻址功效，即便将CrTe3阵列置在150摄氏度下1小时，其后该主动寻址功效依然可以完善复现。
相干论文信息：https://doi.org/10.1038/s41563-025-02361-0
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