近日，哈工年夜深圳校区集成电路学院传授宋清海、周宇团队于量子信息研究范畴取患上主要进展，相干结果发表于《物理评论快报》上。
该研究使用质料的内禀应变，将碳化硅量子比特的室温自旋读出对于比度晋升至60%以上，为开发可于室温下运用在量子传感等现实场景的高机能量子器件斥地了新路径。
于固态量子技能中，可否高效、高保真地读取量子比特的自旋状况，是权衡其机能及实用性的要害。特别于室温前提下，实现高对于比度的光学读出是开发高敏捷器量子传感器的焦点挑战之一。持久以来，较低的读出对于比度极年夜地限定了量子技能的探测敏捷度及总体效率。
针对于这一难题，研究团队立异性地提出使用应变工程来调控量子比特的光学性子。团队经由过程第一性道理计较，构建了一个阐发应变调控辐射及非辐射跃迁速度的理论框架，展现了应变可以显著加强碳化硅中双空位量子比特的光学自旋读出对于比度。试验上，团队巧妙地使用了绝缘体上碳化硅薄膜于制造历程中孕育发生的巨年夜内禀应变，乐成验证了理论猜测。试验成果注解，于应变作用下，单个自旋的读出对于比度跨越了60%，远高在传统体质料中报导的数值，同时连结了其优秀的相关机能。
相干论文信息：https://journals.aps.org/prl/abstract/10.1103/tdb3-tqfv
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